近日，江蘇省重點研發(fā)計劃“產業(yè)前瞻與關鍵核心技術”專項2023年度項目立項名單公示結束，江南大學敖金平教授團隊牽頭的“氮化鎵微波毫米波無線能量轉換芯片關鍵技術研發(fā)”項目獲得立項，這是學校作為主持單位獲得的首個千萬級江蘇省重點研發(fā)項目。項目總預算2500萬元，省級財政經費支持1000萬元。

江蘇省重點研發(fā)計劃面向國家重大戰(zhàn)略需要，聚焦集成電路、新材料、先進制造等重點領域，集中力量開展關鍵核心技術攻關和重要標準研發(fā)，加快推進核心技術自主化。項目以提升高新技術產業(yè)創(chuàng)新力、影響力為主線，加強關鍵核心技術攻關，推動第三代半導體、未來網絡通信等十大高新技術新興產業(yè)成為構筑現代產業(yè)體系的新支柱。

“氮化鎵微波毫米波無線能量轉換芯片關鍵技術研發(fā)”項目由江南大學物聯網工程學院敖金平教授團隊牽頭組織，聯合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉換芯片相關方面取得突破性進展，并打通從實驗室到產業(yè)化的關鍵環(huán)節(jié)，實現關鍵技術從“實驗室”走向“生產線”。

高性能的微波-直流轉換是實現中遠距離無線能量傳輸的關鍵，然而，當前基于硅的轉換芯片普遍存在效率低，功率容量不足等缺點。氮化鎵材料因其出色的電學特性被認為是實現高性能微波-直流轉換芯片的最佳材料之一。“該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉換芯片?！卑浇鹌秸f道，“通過探索新型半導體工藝、先進封測技術來提高芯片穩(wěn)定性、可靠性，我們有信心整體性能達到國際前沿水平?！?/p>

目前，江南大學建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實驗室，擁有材料生長和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統等全套工藝設備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。敖金平教授團隊有二十多年的GaN器件及電路研究經歷，先后牽頭/參與完成了科技部重點專項、國家自然科學基金重大/重點項目等多項GaN基電子器件相關的科研項目；在行業(yè)知名期刊上發(fā)表相關SCI論文500篇以上，申請發(fā)明專利50件以上。團隊研發(fā)了多款氮化鎵微波整流芯片，其微波-直流轉換效率達到90%以上，業(yè)內領先。

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